Samsung Semiconductor - K4ABG165WA-MCWE

KEY Part #: K7359579

[22057τεμ]

Αριθμός εξαρτήματος:: K4ABG165WA-MCWE

Κατασκευαστής:: Samsung Semiconductor

Λεπτομερής περιγραφή:: 32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:: Σε απόθεμα

Διάρκεια ζωής:: Ενας χρόνος

Chip Από:: Χονγκ Κονγκ

RoHS:

Μέθοδος πληρωμής:

Τρόπος αποστολής:

Κατηγορίες Οικογένειας:: KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: MODULE, LPDDR4X, DDR4, SLC Nand, HBM Flarebolt, GDDR6, HBM Aquabolt and DDR3 ...

Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:: Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Samsung Semiconductor K4ABG165WA-MCWE. Το K4ABG165WA-MCWE μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το K4ABG165WA-MCWE, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

K4ABG165WA-MCWE Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : K4ABG165WA-MCWE

Κατασκευαστής : Samsung Semiconductor

Περιγραφή : 32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample

Σειρά : DDR4

Πυκνότητα : 32 Gb

Org. : 2G x 16

Ταχύτητα : 3200 Mbps

Τάση : 1.2 V

Temp. : 0 ~ 85 °C

Πακέτο : 96FBGA

Κατάσταση προϊόντος : Sample

Τελευταία νέα

Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing

Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018

Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere

Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing

Unlocking the Power of Cloud Computing

Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor

Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD

Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards

Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time

Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM

How Will 5G Impact on Memory?

Speed for the next generation of mobile devices

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει

K4A4G085WE-BIRC

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.
K4ABG165WA-MCWE

Samsung Semiconductor

32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.
K4A4G085WE-BITD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
K4A4G085WF-BCTD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
K4A4G085WF-BITD

Samsung Semiconductor

4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.
K4A4G165WE-BCWE

Samsung Semiconductor

4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

English Ελλάδα