[20168τεμ]
- Αριθμός εξαρτήματος:
- K4A4G085WE-BITD
- Κατασκευαστής:
- Samsung Semiconductor
- Λεπτομερής περιγραφή:
- 4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: LPDDR4, SLC Nand, GDDR6, MODULE, LPDDR3, DDR4, HBM Aquabolt and DDR3 ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Samsung Semiconductor K4A4G085WE-BITD. Το K4A4G085WE-BITD μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το K4A4G085WE-BITD, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
K4A4G085WE-BITD Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
K4A4G085WE-BITD
Κατασκευαστής :
Samsung Semiconductor
Περιγραφή :
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
Σειρά :
DDR4
Πυκνότητα :
4 Gb
Org. :
512M x 8
Ταχύτητα :
2666 Mbps
Τάση :
1.2 V
Temp. :
-40 ~ 95 °C
Πακέτο :
78FBGA
Κατάσταση προϊόντος :
Mass Production
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
-
-
K4A4G085WE-BITD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
-
K4A4G085WF-BCTD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
-
-
K4A4G165WE-BCWE
Samsung Semiconductor
4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.