Samsung Semiconductor - K4ABG085WA-MCWE

KEY Part #: K7359629

[16719τεμ]

Αριθμός εξαρτήματος:: K4ABG085WA-MCWE

Κατασκευαστής:: Samsung Semiconductor

Λεπτομερής περιγραφή:: 32 Gb 4G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Sample.

Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:: Σε απόθεμα

Διάρκεια ζωής:: Ενας χρόνος

Chip Από:: Χονγκ Κονγκ

RoHS:

Μέθοδος πληρωμής:

Τρόπος αποστολής:

Κατηγορίες Οικογένειας:: KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: SLC Nand, LPDDR3, HBM Flarebolt, LPDDR4, GDDR6, HBM Aquabolt, DDR4 and GDDR5 ...

Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:: Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Samsung Semiconductor K4ABG085WA-MCWE. Το K4ABG085WA-MCWE μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το K4ABG085WA-MCWE, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

K4ABG085WA-MCWE Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : K4ABG085WA-MCWE

Κατασκευαστής : Samsung Semiconductor

Περιγραφή : 32 Gb 4G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Sample

Σειρά : DDR4

Πυκνότητα : 32 Gb

Org. : 4G x 8

Ταχύτητα : 3200 Mbps

Τάση : 1.2 V

Temp. : 0 ~ 85 °C

Πακέτο : 78FBGA

Κατάσταση προϊόντος : Sample

Τελευταία νέα

Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD

Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP

High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing

Speed for the next generation of mobile devices

How Will 5G Impact on Memory?

Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM

NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters

Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere

Samsung Z-SSD SZ985

Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor

Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology

Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει

K3UH5H50AM-AGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.
K3UH5H50AM-EGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.
KHA843801B-MC12

Samsung Semiconductor

4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.
KHA883901B-MC12

Samsung Semiconductor

8 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.
KHA844801X-MC12

Samsung Semiconductor

4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.
KHA844801X-MC13

Samsung Semiconductor

4 Gb 1024 2.4 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

English Ελλάδα