Εάν η τοποθεσία σας δεν περιλαμβάνεται στη λίστα, επιλέξτε ένα από τα παρακάτω:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Εάν η τοποθεσία σας δεν περιλαμβάνεται στη λίστα, επιλέξτε ένα από τα παρακάτω:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Σπίτι
  2. Προϊόντα
  3. DRAM
  4. DDR4
  5. K4A4G165WE-BIWE

Samsung Semiconductor - K4A4G165WE-BIWE

KEY Part #: K7359586

[15824τεμ]

    Αριθμός εξαρτήματος:
    K4A4G165WE-BIWE
    Κατασκευαστής:
    Samsung Semiconductor
    Λεπτομερής περιγραφή:
    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: LPDDR4, MODULE, DDR3, HBM Flarebolt, LPDDR3, LPDDR4X, GDDR6 and HBM Aquabolt ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Samsung Semiconductor K4A4G165WE-BIWE. Το K4A4G165WE-BIWE μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το K4A4G165WE-BIWE, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A4G165WE-BIWE Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : K4A4G165WE-BIWE
    Κατασκευαστής : Samsung Semiconductor
    Περιγραφή : 4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
    Σειρά : DDR4
    Πυκνότητα : 4 Gb
    Org. : 256M x 16
    Ταχύτητα : 3200 Mbps
    Τάση : 1.2 V
    Temp. : -40 ~ 95 °C
    Πακέτο : 96FBGA
    Κατάσταση προϊόντος : Mass Production

    Τελευταία νέα

    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones
    Speed for the next generation of mobile devices
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

    Hot Parts