Εάν η τοποθεσία σας δεν περιλαμβάνεται στη λίστα, επιλέξτε ένα από τα παρακάτω:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Εάν η τοποθεσία σας δεν περιλαμβάνεται στη λίστα, επιλέξτε ένα από τα παρακάτω:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Σπίτι
  2. Προϊόντα
  3. DRAM
  4. DDR4
  5. K4A8G165WB-BCTD

Samsung Semiconductor - K4A8G165WB-BCTD

KEY Part #: K7359608

[25398τεμ]

    Αριθμός εξαρτήματος:
    K4A8G165WB-BCTD
    Κατασκευαστής:
    Samsung Semiconductor
    Λεπτομερής περιγραφή:
    8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: DDR3, LPDDR5, GDDR6, LPDDR3, GDDR5, LPDDR4, MODULE and LPDDR4X ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Samsung Semiconductor K4A8G165WB-BCTD. Το K4A8G165WB-BCTD μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το K4A8G165WB-BCTD, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A8G165WB-BCTD Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : K4A8G165WB-BCTD
    Κατασκευαστής : Samsung Semiconductor
    Περιγραφή : 8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    Σειρά : DDR4
    Πυκνότητα : 8 Gb
    Org. : 512M x 16
    Ταχύτητα : 2666 Mbps
    Τάση : 1.2 V
    Temp. : 0 ~ 85 °C
    Πακέτο : 96FBGA
    Κατάσταση προϊόντος : Mass Production

    Τελευταία νέα

    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)
    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • KHA844801X-MC12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MC13

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.4 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    Hot Parts