Vishay Siliconix - SI4214DY-T1-GE3

KEY Part #: K6523485

SI4214DY-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [4149τεμ]

  • 2,500 pcs$0.11039

Αριθμός εξαρτήματος:
SI4214DY-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays and Τρανζίστορ - JFET ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI4214DY-T1-GE3. Το SI4214DY-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI4214DY-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4214DY-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI4214DY-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Standard
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 8.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 23nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 785pF @ 15V
Ισχύς - Μέγ : 3.1W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SO

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει