Infineon Technologies - DF23MR12W1M1B11BOMA1

KEY Part #: K6522829

DF23MR12W1M1B11BOMA1 Τιμολόγηση (USD) [998τεμ]

  • 1 pcs$46.57521

Αριθμός εξαρτήματος:
DF23MR12W1M1B11BOMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET MODULE 1200V 25A.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - RF, Θυρίστορ - SCRs, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies DF23MR12W1M1B11BOMA1. Το DF23MR12W1M1B11BOMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το DF23MR12W1M1B11BOMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DF23MR12W1M1B11BOMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : DF23MR12W1M1B11BOMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET MODULE 1200V 25A
Σειρά : CoolSiC™
Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Silicon Carbide (SiC)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 25A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 10mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 620nC @ 15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 800V
Ισχύς - Μέγ : 20mW
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Module