Infineon Technologies - IPG20N04S4L08AATMA1

KEY Part #: K6525271

IPG20N04S4L08AATMA1 Τιμολόγηση (USD) [161546τεμ]

  • 1 pcs$0.22896
  • 5,000 pcs$0.21004

Αριθμός εξαρτήματος:
IPG20N04S4L08AATMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - RF and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPG20N04S4L08AATMA1. Το IPG20N04S4L08AATMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPG20N04S4L08AATMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N04S4L08AATMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IPG20N04S4L08AATMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Σειρά : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 40V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 22µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 39nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 3050pF @ 25V
Ισχύς - Μέγ : 54W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerVDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TDSON-8-10