Infineon Technologies - BSC072N03LDGATMA1

KEY Part #: K6525270

BSC072N03LDGATMA1 Τιμολόγηση (USD) [160653τεμ]

  • 1 pcs$0.23023

Αριθμός εξαρτήματος:
BSC072N03LDGATMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF and Θυρίστορ - SCR - Μονάδες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies BSC072N03LDGATMA1. Το BSC072N03LDGATMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BSC072N03LDGATMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC072N03LDGATMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : BSC072N03LDGATMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
Σειρά : OptiMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 11.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 41nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 3500pF @ 15V
Ισχύς - Μέγ : 57W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerVDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TDSON-8 Dual