Vishay Siliconix - SI3951DV-T1-GE3

KEY Part #: K6522257

SI3951DV-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [254929τεμ]

  • 1 pcs$0.14581
  • 3,000 pcs$0.14509

Αριθμός εξαρτήματος:
SI3951DV-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI3951DV-T1-GE3. Το SI3951DV-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI3951DV-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3951DV-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI3951DV-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 P-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 5.1nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 10V
Ισχύς - Μέγ : 2W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 6-TSOP

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FDG6318PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6.

  • SI6975DQ-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP.

  • SI6975DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP.

  • DMG6968UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP.

  • DMP2035UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP.

  • AO8810

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.