Vishay Siliconix - SIA537EDJ-T1-GE3

KEY Part #: K6525434

SIA537EDJ-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [358565τεμ]

  • 1 pcs$0.10315
  • 3,000 pcs$0.09744

Αριθμός εξαρτήματος:
SIA537EDJ-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Μονάδες οδηγού ισχύος, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF and Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SIA537EDJ-T1-GE3. Το SIA537EDJ-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SIA537EDJ-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA537EDJ-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SIA537EDJ-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N and P-Channel
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 12V, 20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 16nC @ 8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 455pF @ 6V
Ισχύς - Μέγ : 7.8W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® SC-70-6 Dual