Αριθμός εξαρτήματος :
SIZ926DT-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Σειρά :
TrenchFET® Gen IV
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος FET :
2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό :
Standard
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
25V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerWDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
8-PowerPair® (6x5)