Vishay Siliconix - SQJB42EP-T1_GE3

KEY Part #: K6525276

SQJB42EP-T1_GE3 Τιμολόγηση (USD) [164478τεμ]

  • 1 pcs$0.22488
  • 3,000 pcs$0.19003

Αριθμός εξαρτήματος:
SQJB42EP-T1_GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - RF, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός and Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SQJB42EP-T1_GE3. Το SQJB42EP-T1_GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SQJB42EP-T1_GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJB42EP-T1_GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SQJB42EP-T1_GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Σειρά : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Standard
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 40V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 30nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1500pF @ 25V
Ισχύς - Μέγ : 48W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® SO-8 Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® SO-8 Dual