S1JR3 Τιμολόγηση (USD) [2750629τεμ]
- 1 pcs$0.01345
- Αριθμός εξαρτήματος:
- S1JR3
- Κατασκευαστής:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Λεπτομερής περιγραφή:
- 1A 600V GLASS PASSIVATED SMD R.
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays and Θυρίστορ - SCR - Μονάδες ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Taiwan Semiconductor Corporation S1JR3. Το S1JR3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το S1JR3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
S1JR3 Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
S1JR3
Κατασκευαστής :
Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή :
1A 600V GLASS PASSIVATED SMD R
Σειρά :
-
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος διόδου :
Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
600V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
1A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.1V @ 1A
Ταχύτητα :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
1.5µs
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
1µA @ 600V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
12pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
DO-214AC, SMA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-214AC (SMA)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 175°C
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Hot Parts
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54