Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP50AHE3/54

KEY Part #: K6447609

[1366τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    EGP50AHE3/54
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE GEN PURP 50V 5A GP20.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division EGP50AHE3/54. Το EGP50AHE3/54 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το EGP50AHE3/54, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGP50AHE3/54 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : EGP50AHE3/54
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : DIODE GEN PURP 50V 5A GP20
    Σειρά : SUPERECTIFIER®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Standard
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 50V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 5A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 950mV @ 5A
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 50ns
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 50V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : 95pF @ 4V, 1MHz
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο / Θήκη : DO-201AA, DO-27, Axial
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : GP20
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 150°C

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • VS-8EWL06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast

    • EGL34GHE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

    • EGL34DHE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

    • EGL34FHE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213.