S3M M6G Τιμολόγηση (USD) [948493τεμ]
- 1 pcs$0.03900
- Αριθμός εξαρτήματος:
- S3M M6G
- Κατασκευαστής:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Λεπτομερής περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 3A DO214AB.
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Taiwan Semiconductor Corporation S3M M6G. Το S3M M6G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το S3M M6G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
S3M M6G Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
S3M M6G
Κατασκευαστής :
Taiwan Semiconductor Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
Σειρά :
-
Κατάσταση εξαρτήματος :
Not For New Designs
Τύπος διόδου :
Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
-
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
3A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.15V @ 3A
Ταχύτητα :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
1.5µs
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
5µA @ 1000V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
30pF @ 4V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
DO-214AB, SMC
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
DO-214AB (SMC)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High
-
SE30AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA
-
SE30AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA
-
SE30AFB-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFGHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
Hot Parts
- VSB3200-M3/51
- D1461S45TXPSA2
- CLLRH-02 TR
- VS-8EWS12STRRPBF
- TVR10GHM3/54
- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
- RB721Q-40T-72
- CD1607-B120LF
- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
- HER206-TP
- BY229B-600HE3/45
- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
- GPP15B-E3/54
- RGP5020HE3/73
- BYD13MGP-E3/73
- FFH15S60STU
- V10P10-E3/87A
- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
- BAS21T-7
- VSKE270-08
- PRLL5817,115
- CLL3595 BK
- 1F3-TP
- FESB16DT-E3/81
- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
- HS3M R7G
- MURS160HE3_A/I
- RM 1V1
- RB068LAM-40TR
- RBR1MM40ATR
- 1N6483-E3/97