Microsemi Corporation - APT20M45BVFRG

KEY Part #: K6396511

APT20M45BVFRG Τιμολόγηση (USD) [8559τεμ]

  • 1 pcs$5.32300
  • 44 pcs$5.29651

Αριθμός εξαρτήματος:
APT20M45BVFRG
Κατασκευαστής:
Microsemi Corporation
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 56A TO-247.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - JFET, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays and Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation APT20M45BVFRG. Το APT20M45BVFRG μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το APT20M45BVFRG, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT20M45BVFRG Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : APT20M45BVFRG
Κατασκευαστής : Microsemi Corporation
Περιγραφή : MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
Σειρά : POWER MOS V®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 200V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 56A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 4860pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 300W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-247 [B]
Πακέτο / Θήκη : TO-247-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • SI2316DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.