ON Semiconductor - FQP19N20CTSTU

KEY Part #: K6410677

[14053τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    FQP19N20CTSTU
    Κατασκευαστής:
    ON Semiconductor
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 200V 19A TO-220.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor FQP19N20CTSTU. Το FQP19N20CTSTU μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FQP19N20CTSTU, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQP19N20CTSTU Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : FQP19N20CTSTU
    Κατασκευαστής : ON Semiconductor
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
    Σειρά : QFET®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 200V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 9.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 53nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1080pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 139W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-220-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-220-3

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • ZVN3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

    • HUFA76423D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 20A DPAK.

    • HUFA75823D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 150V 14A TO-252AA.

    • HUF75329D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 55V 20A DPAK.

    • FQD2N80TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK.

    • FQD5N50TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK.