Toshiba Semiconductor and Storage - TK40A06N1,S4X

KEY Part #: K6396584

TK40A06N1,S4X Τιμολόγηση (USD) [74816τεμ]

  • 1 pcs$0.44737
  • 50 pcs$0.33989
  • 100 pcs$0.29738
  • 500 pcs$0.23062
  • 1,000 pcs$0.18207

Αριθμός εξαρτήματος:
TK40A06N1,S4X
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Θυρίστορ - SCRs ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Toshiba Semiconductor and Storage TK40A06N1,S4X. Το TK40A06N1,S4X μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το TK40A06N1,S4X, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK40A06N1,S4X Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : TK40A06N1,S4X
Κατασκευαστής : Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή : MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS
Σειρά : U-MOSVIII-H
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 300µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1700pF @ 30V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 30W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-220SIS
Πακέτο / Θήκη : TO-220-3 Full Pack

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.