Vishay Semiconductor Diodes Division - SBLB8L40-E3/45

KEY Part #: K6445636

[2040τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    SBLB8L40-E3/45
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    DIODE SCHOTTKY 40V 8A TO263AB.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division SBLB8L40-E3/45. Το SBLB8L40-E3/45 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SBLB8L40-E3/45, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SBLB8L40-E3/45 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : SBLB8L40-E3/45
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : DIODE SCHOTTKY 40V 8A TO263AB
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Schottky
    Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 40V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 8A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 500mV @ 8A
    Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 1mA @ 40V
    Χωρητικότητα @ Vr, F : -
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-263AB
    Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -65°C ~ 125°C

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • PMEG2010AEK,115

      NXP USA Inc.

      DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMT3.

    • BAT54WH6327XTSA1

      Infineon Technologies

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

    • IDB45E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

    • IDB15E60

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode

    • IDB09E60ATMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263.

    • SBL1030HE3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AB.