Αριθμός εξαρτήματος :
SPP12N50C3HKSA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
560V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
11.6A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 500µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
49nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PG-TO220-3-1