Αριθμός εξαρτήματος :
FQD2N80TM_WS
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
800V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
1.8A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.3 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
15nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
550pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
D-Pak
Πακέτο / Θήκη :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63