SBAS116LT1G Τιμολόγηση (USD) [1049622τεμ]
- 1 pcs$0.03719
- 3,000 pcs$0.03700
- 6,000 pcs$0.03495
- 15,000 pcs$0.03186
- 30,000 pcs$0.02980
- Αριθμός εξαρτήματος:
- SBAS116LT1G
- Κατασκευαστής:
- ON Semiconductor
- Λεπτομερής περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες and Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor SBAS116LT1G. Το SBAS116LT1G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SBAS116LT1G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
SBAS116LT1G Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
SBAS116LT1G
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23
Σειρά :
-
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος διόδου :
Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
75V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
200mA (DC)
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.25V @ 150mA
Ταχύτητα :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
3µs
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
5nA @ 75V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
2pF @ 0V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
SOT-23-3 (TO-236)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
-
QH12BZ600
Power Integrations
DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 12A, Rectifier
-
QH03BZ600
Power Integrations
DIODE GEN PURP 600V 3A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 3A, Rectifier
-
VS-SD1100C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 1400A B-43. Rectifiers 1200 Volt 1400 Amp
-
-
SBAS116LT1G
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 75V T
Hot Parts
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54