Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM36C-TAP

KEY Part #: K6440212

BYM36C-TAP Τιμολόγηση (USD) [256926τεμ]

  • 1 pcs$0.14468
  • 12,500 pcs$0.14396

Αριθμός εξαρτήματος:
BYM36C-TAP
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64. Rectifiers 600 Volt 3.0 Amp 65 Amp IFSM
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία and Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division BYM36C-TAP. Το BYM36C-TAP μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BYM36C-TAP, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM36C-TAP Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : BYM36C-TAP
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Avalanche
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 600V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 3A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.6V @ 3A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 100ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 600V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο / Θήκη : SOD-64, Axial
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOD-64
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 175°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • SE10FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FJHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier

  • SE10FD-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FDHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier