Diodes Incorporated - DMN95H2D2HCTI

KEY Part #: K6397615

DMN95H2D2HCTI Τιμολόγηση (USD) [42839τεμ]

  • 1 pcs$0.91271

Αριθμός εξαρτήματος:
DMN95H2D2HCTI
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - RF, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Μονάδες οδηγού ισχύος and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Diodes Incorporated DMN95H2D2HCTI. Το DMN95H2D2HCTI μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το DMN95H2D2HCTI, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN95H2D2HCTI Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : DMN95H2D2HCTI
Κατασκευαστής : Diodes Incorporated
Περιγραφή : MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 950V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 20.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1487pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 40W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : ITO-220AB
Πακέτο / Θήκη : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.