Infineon Technologies - IRFSL3207

KEY Part #: K6412376

[13467τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IRFSL3207
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 75V 180A TO-262.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IRFSL3207. Το IRFSL3207 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IRFSL3207, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFSL3207 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IRFSL3207
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 75V 180A TO-262
    Σειρά : HEXFET®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 75V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 75A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 260nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 7600pF @ 50V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 330W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-262
    Πακέτο / Θήκη : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • IRLR3705Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRFR2307Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

    • IRFR2607Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

    • IRFR1010Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • GP2M002A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.

    • IRFR4104TRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.