Αριθμός εξαρτήματος :
FDD86250
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 150V 8A DPAK
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
150V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
8A (Ta), 50A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
33nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
2110pF @ 75V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
3.1W (Ta), 132W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
D-PAK (TO-252)
Πακέτο / Θήκη :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63