ITT Cannon, LLC - 120220-0161

KEY Part #: K7359522

120220-0161 Τιμολόγηση (USD) [730635τεμ]

  • 1 pcs$0.05062
  • 6,000 pcs$0.04746
  • 12,000 pcs$0.04271
  • 30,000 pcs$0.04208
  • 60,000 pcs$0.04113

Αριθμός εξαρτήματος:
120220-0161
Κατασκευαστής:
ITT Cannon, LLC
Λεπτομερής περιγραφή:
UNIVERSAL CONTACT 2.5MM SMD. Battery Contacts
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Ρυθμιστές RF, Δέκτες ραδιοσυχνοτήτων, πομπός και πομποδέκτη, RF Misc ICs and Modules, Αξεσουάρ RFID, Μονάδες πομποδέκτη RF, Συστήματα αξιολόγησης και ανάπτυξης RF, πίνακες, Balun and RF κατευθυντική ζεύξη ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ITT Cannon, LLC 120220-0161. Το 120220-0161 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 120220-0161, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

120220-0161 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : 120220-0161
Κατασκευαστής : ITT Cannon, LLC
Περιγραφή : UNIVERSAL CONTACT 2.5MM SMD
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος : Shield Finger, Pre-Loaded
Σχήμα : -
Πλάτος : 0.043" (1.10mm)
Μήκος : 0.192" (4.87mm)
Υψος : 0.098" (2.50mm)
Υλικό : Beryllium Copper
Επιμετάλλωση : Gold
Επιμετάλλωση - Πάχος : 5.906µin (0.15µm)
Μέθοδος προσάρτησης : Solder
Θερμοκρασία λειτουργίας : -

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.