Vishay Siliconix - SI9933CDY-T1-GE3

KEY Part #: K6525362

SI9933CDY-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [344842τεμ]

  • 1 pcs$0.10726
  • 2,500 pcs$0.10093

Αριθμός εξαρτήματος:
SI9933CDY-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Θυρίστορες - TRIAC and Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI9933CDY-T1-GE3. Το SI9933CDY-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI9933CDY-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI9933CDY-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI9933CDY-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 P-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 26nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 665pF @ 10V
Ισχύς - Μέγ : 3.1W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -50°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SO

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει