Vishay Siliconix - SIR770DP-T1-GE3

KEY Part #: K6525284

SIR770DP-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [167720τεμ]

  • 1 pcs$0.22053
  • 3,000 pcs$0.20708

Αριθμός εξαρτήματος:
SIR770DP-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Θυρίστορ - SCRs and Δίοδοι - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SIR770DP-T1-GE3. Το SIR770DP-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SIR770DP-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIR770DP-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SIR770DP-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 21nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 15V
Ισχύς - Μέγ : 17.8W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® SO-8 Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® SO-8 Dual

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY3000NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89.

  • SI6562CDQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP.

  • SQ4961EY-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8.

  • SP8M70TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC.

  • SH8M4TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC.