Infineon Technologies - BSZ0909NDXTMA1

KEY Part #: K6525304

BSZ0909NDXTMA1 Τιμολόγηση (USD) [181450τεμ]

  • 1 pcs$0.20384
  • 5,000 pcs$0.18695

Αριθμός εξαρτήματος:
BSZ0909NDXTMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες and Τρανζίστορ - JFET ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies BSZ0909NDXTMA1. Το BSZ0909NDXTMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BSZ0909NDXTMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ0909NDXTMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : BSZ0909NDXTMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8
Σειρά : OptiMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Logic Level Gate, 4.5V Drive
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 2.6nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 360pF @ 15V
Ισχύς - Μέγ : 17W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerVDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-WISON-8