Toshiba Semiconductor and Storage - 2SK2035(T5L,F,T)

KEY Part #: K6403832

[2222τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    2SK2035(T5L,F,T)
    Κατασκευαστής:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός and Θυρίστορες - DIAC, SIDAC ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2035(T5L,F,T). Το 2SK2035(T5L,F,T) μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το 2SK2035(T5L,F,T), παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SK2035(T5L,F,T) Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : 2SK2035(T5L,F,T)
    Κατασκευαστής : Toshiba Semiconductor and Storage
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 100mA (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 2.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 Ohm @ 10mA, 2.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : 10V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 8.5pF @ 3V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 100mW (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SSM
    Πακέτο / Θήκη : SC-75, SOT-416

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • AUIRFR8405

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8403

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8401

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • SSM3K7002BF,LF

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI.

    • SSM3J14TTE85LF

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM.

    • FDN338P_G

      ON Semiconductor

      INTEGRATED CIRCUIT.