Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J14TTE85LF

KEY Part #: K6403833

[2216τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    SSM3J14TTE85LF
    Κατασκευαστής:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Θυρίστορες - TRIAC and Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J14TTE85LF. Το SSM3J14TTE85LF μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SSM3J14TTE85LF, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SSM3J14TTE85LF Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : SSM3J14TTE85LF
    Κατασκευαστής : Toshiba Semiconductor and Storage
    Περιγραφή : MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
    Σειρά : U-MOSII
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : P-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 2.7A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 85 mOhm @ 1.35A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : -
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 413pF @ 15V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 700mW (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TSM
    Πακέτο / Θήκη : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • AUIRFR8405

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8403

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8401

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • SSM3K7002BF,LF

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI.

    • SSM3J14TTE85LF

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM.

    • FDN338P_G

      ON Semiconductor

      INTEGRATED CIRCUIT.