Microsemi Corporation - JANSF2N7383

KEY Part #: K6400960

[8840τεμ]

Αριθμός εξαρτήματος:: JANSF2N7383

Κατασκευαστής:: Microsemi Corporation

Λεπτομερής περιγραφή:: P CHANNEL MOSFET TO-257.

Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:: Σε απόθεμα

Διάρκεια ζωής:: Ενας χρόνος

Chip Από:: Χονγκ Κονγκ

RoHS:

Μέθοδος πληρωμής:

Τρόπος αποστολής:

Κατηγορίες Οικογένειας:: KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Θυρίστορ - SCRs, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...

Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:: Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation JANSF2N7383. Το JANSF2N7383 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το JANSF2N7383, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

JANSF2N7383 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : JANSF2N7383

Κατασκευαστής : Microsemi Corporation

Περιγραφή : P CHANNEL MOSFET TO-257

Σειρά : -

Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete

Τύπος FET : -

Τεχνολογία : -

Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : -

Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : -

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET χαρακτηριστικό : -

Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : -

Θερμοκρασία λειτουργίας : -

Τύπος συναρμολόγησης : -

Πακέτο συσκευής προμηθευτή : -

Πακέτο / Θήκη : -

Τελευταία νέα

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει

IXTY1R4N60P TRL

IXYS

MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.
FDD8444-F085P

ON Semiconductor

NMOS DPAK 40V 5.2 MOHM.
FDD4243-F085P

ON Semiconductor

PMOS DPAK 40V 44 MOHM.
SPB02N60S5ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263.
SPB42N03S2L-13

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK.
IPB65R190C7ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CH TO263-3.

English Ελλάδα