Infineon Technologies - IPP47N10S33AKSA1

KEY Part #: K6407161

[1069τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPP47N10S33AKSA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPP47N10S33AKSA1. Το IPP47N10S33AKSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPP47N10S33AKSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPP47N10S33AKSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPP47N10S33AKSA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
    Σειρά : SIPMOS®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 100V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 47A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 33A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2mA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 105nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 175W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO220-3-1
    Πακέτο / Θήκη : TO-220-3

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • ZVP3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.

    • ZVN4306AV

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3.

    • IRFR5505GTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

    • IRLR3636PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.

    • SN7002NL6433HTMA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.

    • SN7002W L6433

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323.