Vishay Siliconix - SI3456CDV-T1-E3

KEY Part #: K6406162

[1415τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    SI3456CDV-T1-E3
    Κατασκευαστής:
    Vishay Siliconix
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία and Δίοδοι - RF ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI3456CDV-T1-E3. Το SI3456CDV-T1-E3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI3456CDV-T1-E3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI3456CDV-T1-E3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : SI3456CDV-T1-E3
    Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
    Σειρά : TrenchFET®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 7.7A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 6.1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 12nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 460pF @ 15V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2W (Ta), 3.3W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 6-TSOP
    Πακέτο / Θήκη : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • IXTY01N100D

      IXYS

      MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA.

    • AUIRLR3705Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • AUIRLR3410

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

    • AUIRLR2905Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • AUIRLR2703

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 20A DPAK.

    • AUIRLR2905

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.