Infineon Technologies - IRFR5505GTRPBF

KEY Part #: K6407071

[1100τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IRFR5505GTRPBF
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ and Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IRFR5505GTRPBF. Το IRFR5505GTRPBF μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IRFR5505GTRPBF, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFR5505GTRPBF Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IRFR5505GTRPBF
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
    Σειρά : HEXFET®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : P-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 55V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 18A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 9.6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 32nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 57W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : D-Pak
    Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • ZVP3310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3.

    • BS170ZL1G

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92.

    • BS170RLRMG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92.

    • IXTY06N120P

      IXYS

      MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252.

    • IRFR5505GTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

    • IRLR3636PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.