IXYS - IXTQ52N30P

KEY Part #: K6394758

IXTQ52N30P Τιμολόγηση (USD) [17778τεμ]

  • 1 pcs$2.55165
  • 10 pcs$2.27842
  • 100 pcs$1.86830
  • 500 pcs$1.51287
  • 1,000 pcs$1.27591

Αριθμός εξαρτήματος:
IXTQ52N30P
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 300V 52A TO-3P.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία and Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXTQ52N30P. Το IXTQ52N30P μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXTQ52N30P, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ52N30P Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXTQ52N30P
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 300V 52A TO-3P
Σειρά : PolarHT™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 300V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 52A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 66 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 3490pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 400W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-3P
Πακέτο / Θήκη : TO-3P-3, SC-65-3