IXYS - IXFA26N50P3

KEY Part #: K6394669

IXFA26N50P3 Τιμολόγηση (USD) [23350τεμ]

  • 1 pcs$1.95126
  • 50 pcs$1.94155

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFA26N50P3
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 26A TO-263AA.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFA26N50P3. Το IXFA26N50P3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFA26N50P3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA26N50P3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFA26N50P3
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 500V 26A TO-263AA
Σειρά : HiPerFET™, Polar3™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 500V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 26A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2220pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 500W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-263 (IXFA)
Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB