Microsemi Corporation - JANTX2N6768

KEY Part #: K6403743

[2252τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    JANTX2N6768
    Κατασκευαστής:
    Microsemi Corporation
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH TO-204AE TO-3.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία and Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation JANTX2N6768. Το JANTX2N6768 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το JANTX2N6768, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTX2N6768 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : JANTX2N6768
    Κατασκευαστής : Microsemi Corporation
    Περιγραφή : MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
    Σειρά : Military, MIL-PRF-19500/543
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 400V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 14A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 14A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 110nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 4W (Ta), 150W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-204AE

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • AUIRFZ24NS

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK.

    • SSM3K7002BF,LF

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI.

    • SSM3J14TTE85LF

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM.

    • IRF1324STRL-7PP

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7.

    • IRFU310PBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK.

    • SSM3J36MFV,L3F

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM.