Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AON6370_002

KEY Part #: K6403877

[2206τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    AON6370_002
    Κατασκευαστής:
    Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 30V DFN.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction and Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6370_002. Το AON6370_002 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το AON6370_002, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    AON6370_002 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : AON6370_002
    Κατασκευαστής : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V DFN
    Σειρά : aMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Active
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 23A (Ta), 47A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 13nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 840pF @ 15V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 6.2W (Ta), 26W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-DFN (5x6)
    Πακέτο / Θήκη : 8-VDFN Exposed Pad

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • AUIRFR8405

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8403

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8401

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • 2SK3309(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

    • FQD3N50CTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

    • RJL5012DPP-M0#T2

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 500V 12A TO220.