Vishay Siliconix - SI7302DN-T1-E3

KEY Part #: K6397608

SI7302DN-T1-E3 Τιμολόγηση (USD) [66997τεμ]

  • 1 pcs$0.58654
  • 3,000 pcs$0.58363

Αριθμός εξαρτήματος:
SI7302DN-T1-E3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays and Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI7302DN-T1-E3. Το SI7302DN-T1-E3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI7302DN-T1-E3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7302DN-T1-E3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI7302DN-T1-E3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 220V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 8.4A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 320 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 21nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 645pF @ 15V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® 1212-8
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® 1212-8

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.