Αριθμός εξαρτήματος :
TPC6011(TE85L,F,M)
Κατασκευαστής :
Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 30V 6A VS6
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
14nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
640pF @ 10V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
700mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
VS-6 (2.9x2.8)
Πακέτο / Θήκη :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6