Toshiba Semiconductor and Storage - TPC6012(TE85L,F,M)

KEY Part #: K6405621

[1601τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    TPC6012(TE85L,F,M)
    Κατασκευαστής:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 20V 6A VS6.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ and Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012(TE85L,F,M). Το TPC6012(TE85L,F,M) μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το TPC6012(TE85L,F,M), παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPC6012(TE85L,F,M) Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : TPC6012(TE85L,F,M)
    Κατασκευαστής : Toshiba Semiconductor and Storage
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 20V 6A VS6
    Σειρά : U-MOSIV
    Κατάσταση εξαρτήματος : Active
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 6A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 3A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 200µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 9nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±12V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 630pF @ 10V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 700mW (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : VS-6 (2.9x2.8)
    Πακέτο / Θήκη : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει