GeneSiC Semiconductor - GA05JT12-247

KEY Part #: K6412607

Κατηγορίες Οικογένειας:: KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία and Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays ...

Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:: Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor GA05JT12-247. Το GA05JT12-247 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το GA05JT12-247, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com

Αριθμός εξαρτήματος : GA05JT12-247

Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor

Περιγραφή : TRANS SJT 1200V 5A

Σειρά : -

Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete

Τύπος FET : -

Τεχνολογία : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1200V

Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 5A (Tc)

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 5A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET χαρακτηριστικό : -

Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 106W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας : 175°C (TJ)

Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole

Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-247AB

Πακέτο / Θήκη : TO-247-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει