Infineon Technologies - IPD03N03LA G

KEY Part #: K6403810

[2229τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPD03N03LA G
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 25V 90A TO-252.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPD03N03LA G. Το IPD03N03LA G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPD03N03LA G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD03N03LA G Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPD03N03LA G
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 25V 90A TO-252
    Σειρά : OptiMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 25V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 60A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 70µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 41nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 5200pF @ 15V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 115W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO252-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • AUIRFZ24NS

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK.

    • AUIRFR8405

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8403

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8401

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • SSM3K7002BF,LF

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI.

    • SSM3J14TTE85LF

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM.