Αριθμός εξαρτήματος :
JAN1N6628US
Κατασκευαστής :
Microsemi Corporation
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
Σειρά :
Military, MIL-PRF-19500/590
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
660V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
1.75A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
1.35V @ 2A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
30ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
2µA @ 660V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
40pF @ 10V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
D-5B
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-65°C ~ 150°C