Comchip Technology - CDBDSC8650-G

KEY Part #: K6441547

CDBDSC8650-G Τιμολόγηση (USD) [26720τεμ]

  • 1 pcs$1.54245

Αριθμός εξαρτήματος:
CDBDSC8650-G
Κατασκευαστής:
Comchip Technology
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - RF and Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Comchip Technology CDBDSC8650-G. Το CDBDSC8650-G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το CDBDSC8650-G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBDSC8650-G Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : CDBDSC8650-G
Κατασκευαστής : Comchip Technology
Περιγραφή : DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Silicon Carbide Schottky
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 650V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 25.5A (DC)
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.7V @ 8A
Ταχύτητα : No Recovery Time > 500mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 0ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 100µA @ 650V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 550pF @ 0V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : D-PAK (TO-252)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -55°C ~ 175°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • CDBDSC10650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-CPU6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 2x30A FRED Pt TO-247 LL 3L

  • VS-E4PH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L