GeneSiC Semiconductor - GA04JT17-247

KEY Part #: K6397545

Κατηγορίες Οικογένειας:: KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays and Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας ...

Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:: Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor GA04JT17-247. Το GA04JT17-247 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το GA04JT17-247, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com

Αριθμός εξαρτήματος : GA04JT17-247

Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor

Περιγραφή : TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB

Σειρά : -

Κατάσταση εξαρτήματος : Active

Τύπος FET : -

Τεχνολογία : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1700V

Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc) (95°C)

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 4A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET χαρακτηριστικό : -

Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 106W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας : 175°C (TJ)

Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole

Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-247AB

Πακέτο / Θήκη : TO-247-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει

FCD3400N80Z

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.
FCD260N65S3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 260MOHM TO252.
FCD7N60TM

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.
FCD2250N80Z

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.
FDD86250

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.
TK25A60X5,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.