NXP USA Inc. - BUK9E2R3-40E,127

KEY Part #: K6400036

[3537τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    BUK9E2R3-40E,127
    Κατασκευαστής:
    NXP USA Inc.
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα NXP USA Inc. BUK9E2R3-40E,127. Το BUK9E2R3-40E,127 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BUK9E2R3-40E,127, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK9E2R3-40E,127 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : BUK9E2R3-40E,127
    Κατασκευαστής : NXP USA Inc.
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
    Σειρά : TrenchMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 40V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 87.8nC @ 5V
    Vgs (Max) : ±10V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 13160pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 293W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : I2PAK
    Πακέτο / Θήκη : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • VP2206N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

    • VN0106N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

    • LP0701N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.

    • TN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3.

    • IRLI3705NPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP.

    • IRLI530GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP.